Flusso delle informazioni e controllo cooperativo delle formazioni del veicolo -
Fax di JA, RM Murray, sistema di NGE, colline del terreno boscoso di CA - controllo automatico, transazioni dello IEEE sopra, 2004 - ieeexplore.ieee.org
Estratto? Consideriamo il problema della cooperazione in un lection della colonna di
veicoli che effettuano un'operazione comune usando munication di COM del intervehicle a
coordinare le loro azioni. Gli attrezzi dalla teoria di grafico algebrica risultano utile in…

Dipendenza di temperatura della corrente del fowler-Nordheim in condensatori di 6H-and 4H-SiCMOS -
AK Agarwal, S Seshadri, libbra Rowland, NG Sci, T… - lettere del dispositivo di elettrone, IEEE, 1997 - ieeexplore.ieee.org
Estratto? Questo lavoro segnala sul Fowler? Nordheim (F? N) studi di tion del injec- sopra
sistemi del MOS 6H-SiC e 4H-SiC del n-tipo nell'ambito di polarizzazione positiva del cancello da 25 a 325
C. Ad una temperatura data e ad un campo elettrico, la densità di corrente in…

Rassegna degli effetti di danno di spostamento in dispositivi del silicone -
JUNIOR Srour, CJ Marshall, PW Marshall, NGS Technol,… - scienza nucleare, transazioni dello IEEE sopra, 2003 - ieeexplore.ieee.org
Estratto? Questa carta fornisce una revisione storica del ature di litro sul
gli effetti di spostamento indotto da radiazioni danneggiano in materiali a semiconduttore e
dispositivi. È messo in evidenza gli effetti nella massa tecnologicamente importante…

1.1 chilovolt di potere UMOSFETs di 4H-SiC -
AK Agarwal, JB Casady, libbra Rowland, WF Valek, MH… - lettere del dispositivo di elettrone, IEEE, 1997 - ieeexplore.ieee.org
… dal Dott. S. Seshadri, dal Dott. RR Siergiej e dai tecnici nell'avanzato
Struttura elettronica e centrale che procedano i ratories di Labo- della Northrop
Scienza di Grumman e centro di tecnologia. Tecnico…

4H-SiC MESFET con 42 gigahertz f massimi
S Sriram, G Augustine, aa Burk, vetro di RC, HM… - lettere del dispositivo di elettrone, IEEE, 1996 - ieeexplore.ieee.org
LETTERE del DISPOSITIVO di ELETTRONE dello IEEE, Volume 17, No. il 7, e il luglio 1996… 4H-Sic MESFET? s
con 42 gigahertz .frnizx… S. Sriram, G. Augustine, aa Burk, Jr., membro, ZEEE, K.
C. Vetro, HM Hobgood, P.A. Orphanos,… libbra Rowland, TJ Smith, membro,…

Un transistore bipolare di heterojunction di SiGe della S-fascia 230-Watt -
… KD Hobart, FJ Kub, PE Thompson, E Northrop Grumman… - teoria di microonda e tecniche, transazioni dello IEEE sopra, 1996 - ieeexplore.ieee.org
I. Le applicazioni dell'INTRODUZIONE YSTEM stanno determinando lo sviluppo di
dispositivi di potere di microonda. Transistori di giunzione bipolare (BJT? s) in particolare
sono stati studiati perché hanno un'alta possibilità ditrattamento…

Formazione immagine passiva dell'onda di millimetro -
L Yujiri, m. Shoucri, P Moffa, NGS Technol, CA… - scomparto di microonda, IEEE, 2003 - ieeexplore.ieee.org
La formazione immagine assive dell'onda millimetrica di P (PMMW) è un metodo di formazione delle immagini attraverso
la rilevazione passiva di radiazione naturale dell'onda millimetrica dalla a
scena. Anche se tale formazione immagine è stata per formato per le decadi (o più, se…

Convertitori analogico-digitale di sigma-delta di quantum di cambiamento continuo per i rfsignals -
DL Miller, JX Przybysz, AH Worsham, decano di EJ, NG… - superconduttività applicata, transazioni dello IEEE sopra, 1999 - ieeexplore.ieee.org
… Scienza di Northrop Grumman e centro di tecnologia, Beulah 1350 Rd., Pittsburgh, PA
15235, S.U.A.… il processo di Northrop Grumman LTS consistono di otto livelli come indicati
nella fig. 2. Sei di questi livelli sono metallici e due stanno isolando. …

Annullamento passivo di rumore di comune-modo in circuiti elettronici di potere -
… Chen, D Boroyevic, sistema di RFP, es Northrop Grumman,… - elettronica di potere, transazioni dello IEEE sopra, 2003 - ieeexplore.ieee.org
Estratto? È ben noto che il con- (CM) di comune-modo ha canalizzato elettromagnetico
l'interferenza (EMI) è causata dall'attraversare della corrente di comune-modo
capacità parassita di transistori, di diodi e di trasformatori da frantumare in…

Triplers novelli del active MMIC dell'onda di millimetro
H Fudem, EC Niehenke, E Northrop Grumman, MD… - raccolta del simposio di microonda, IEEE 1998 MTT-S International, 1998 - ieeexplore.ieee.org
Un tripler equilibrato attivo dell'onda di millimetro MMIC novello con l'amplificatore del driver di input
è stato diventato usando il GaAs PHEMT la tecnologia dei 0.25 micron. Con- di frequenza
la versione è realizzata usando le alte correnti della terza armonica dell'sovreccitate…